超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王小军 ; 金星 ; 张子平 ; 郑联喜 ; 肖智博 ; 胡雄伟 ; 王启明 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 46期号:9页码:1808 |
| 中文摘要 | In_xGa_(1-x)缓冲层上生长In_yGa_(1-y)As/GaAs超晶格(x |
| 英文摘要 | In_xGa_(1-x)缓冲层上生长In_yGa_(1-y)As/GaAs超晶格(x |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19321]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王小军,金星,张子平,等. 超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异[J]. 物理学报,1997,46(9):1808. |
| APA | 王小军.,金星.,张子平.,郑联喜.,肖智博.,...&王启明.(1997).超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异.物理学报,46(9),1808. |
| MLA | 王小军,et al."超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异".物理学报 46.9(1997):1808. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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