高性能紫外写入光纤Bragg光栅的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王圩
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| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 42期号:7页码:696 |
| 中文摘要 | 采用未经任何特殊处理的B/Ge双掺光纤，以248nm的KrF准分子激光为光源用相位掩模技术研制出反射率大于98.5%的光纤Bragg光栅，并且使光栅反射谱的边瓣抑制达-20dB以下，其3dB带宽小于0.4nm，具有良好的滤波特性。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家教委博士点基金,国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19325]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王圩. 高性能紫外写入光纤Bragg光栅的研制[J]. 科学通报,1997,42(7):696. |
| APA | 王圩.(1997).高性能紫外写入光纤Bragg光栅的研制.科学通报,42(7),696. |
| MLA | 王圩."高性能紫外写入光纤Bragg光栅的研制".科学通报 42.7(1997):696. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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