In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 潘栋 ; 曾一平 ; 吴巨 ; 孔梅影 |
| 刊名 | 科学通报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 42期号:15页码:1610 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5752.pdf: 978369 bytes, checksum: 79905ae5a2032f7eac78828167042c50 (MD5) Previous issue date: 1997; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19329]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘栋,曾一平,吴巨,等. In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长[J]. 科学通报,1997,42(15):1610. |
| APA | 潘栋,曾一平,吴巨,&孔梅影.(1997).In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长.科学通报,42(15),1610. |
| MLA | 潘栋,et al."In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长".科学通报 42.15(1997):1610. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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