In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓亮 ; 孙殿照 ; 孔梅影 ; 侯洵 ; 曾一平 ; 李建平 ; 李灵霄 ; 朱世荣 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 16期号:1页码:1 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5754.pdf: 339468 bytes, checksum: befc75f08ef8468f4c18d98406662b27 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家863计划; 中科院半导体所;中科院西安光学精密机械所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19333]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,孙殿照,孔梅影,等. In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(1):1. |
| APA | 王晓亮.,孙殿照.,孔梅影.,侯洵.,曾一平.,...&朱世荣.(1997).In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究.红外与毫米波学报,16(1),1. |
| MLA | 王晓亮,et al."In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究".红外与毫米波学报 16.1(1997):1. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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