InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李伟; 李伟 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 16期号:2页码:131 |
| 中文摘要 | 在15K下测量了InAs/GaAs亚单层结构的静压光致发光，静压范围为0～8GPa.常压下InAs层中重空穴激子的发光峰随InAs层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小。其压力行为与GaAs基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于InAs/GaAs亚单层结构。得到平均厚度为1/3单分子层的样品中由于附加的横向限制效应引起的电子和空穴束缚能的增加分别为23和42meV。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19335]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李伟,李伟. InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(2):131. |
| APA | 李伟,&李伟.(1997).InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究.红外与毫米波学报,16(2),131. |
| MLA | 李伟,et al."InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究".红外与毫米波学报 16.2(1997):131. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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