毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张兴宏 ; 杨玉芬 ; 王占国 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 16期号:3页码:226 |
| 中文摘要 | 建立了高电子迁移晶体管(HEMT)的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了AlGaAs/GaAs HEMT中的GaAs沟道层量子阱中二维电子气的物理性质。通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场。模拟结果表明栅电压的改变对HEMT器件跨导产生很大的影响。 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19339]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张兴宏,杨玉芬,王占国. 毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(3):226. |
| APA | 张兴宏,杨玉芬,&王占国.(1997).毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟.红外与毫米波学报,16(3),226. |
| MLA | 张兴宏,et al."毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟".红外与毫米波学报 16.3(1997):226. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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