自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩培德
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| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 16期号:5页码:335 |
| 中文摘要 | 报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透射电子显微镜分析表明在这种结构中出了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为InAs材料的俘获陷阱。随着停顿时间加长，InAs岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19345]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩培德. 自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(5):335. |
| APA | 韩培德.(1997).自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究.红外与毫米波学报,16(5),335. |
| MLA | 韩培德."自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究".红外与毫米波学报 16.5(1997):335. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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