自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王志明 ; 吕振东 ; 封松林 ; 赵谦 ; 李树英 ; 吉秀英 ; 陈宗圭 ; 徐仲英 ; 郑厚植 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 16期号:6页码:455 |
| 中文摘要 | 通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火体面向于产生更多的位错，量子点的发峰位置不变，但强度减弱。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19347]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王志明,吕振东,封松林,等. 自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(6):455. |
| APA | 王志明.,吕振东.,封松林.,赵谦.,李树英.,...&郑厚植.(1997).自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应.红外与毫米波学报,16(6),455. |
| MLA | 王志明,et al."自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应".红外与毫米波学报 16.6(1997):455. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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