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GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算

文献类型:期刊论文

作者朱育清 ; 杨沁清 ; 王启明
刊名光子学报
出版日期1997
卷号26期号:5页码:408
中文摘要采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_(1-x)/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布,光场限制因子和有效吸收系数的影响,并给出了优化设计的结果。
英文摘要采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_(1-x)/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布,光场限制因子和有效吸收系数的影响,并给出了优化设计的结果。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:35导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5763.pdf: 338518 bytes, checksum: c48fc9c23de74aadbd23102183906e32 (MD5) Previous issue date: 1997; 中科院半导体所
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19351]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
朱育清,杨沁清,王启明. GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算[J]. 光子学报,1997,26(5):408.
APA 朱育清,杨沁清,&王启明.(1997).GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算.光子学报,26(5),408.
MLA 朱育清,et al."GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算".光子学报 26.5(1997):408.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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