稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周必忠 ; 雷红兵 ; 肖方方 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 17期号:4页码:322 |
| 中文摘要 | 用光致发光谱(PL)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和X射线衍射谱(XRD)等研究了稀土(Er)和氧(O)双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱;对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。 |
| 英文摘要 | 用光致发光谱(PL)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和X射线衍射谱(XRD)等研究了稀土(Er)和氧(O)双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱;对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:39导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5775.pdf: 346985 bytes, checksum: f088493eb3ee96846d713be97360d684 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金; 厦门大学物理系;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19373]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周必忠,雷红兵,肖方方. 稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究[J]. 固体电子学研究与进展,1997,17(4):322. |
| APA | 周必忠,雷红兵,&肖方方.(1997).稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究.固体电子学研究与进展,17(4),322. |
| MLA | 周必忠,et al."稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究".固体电子学研究与进展 17.4(1997):322. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。