GaAs晶片化学机械抛光的机理分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卜俊鹏 ; 郑红军 ; 何宏家 ; 吴让元 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 17期号:4页码:399 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19375]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卜俊鹏,郑红军,何宏家,等. GaAs晶片化学机械抛光的机理分析[J]. 固体电子学研究与进展,1997,17(4):399. |
| APA | 卜俊鹏,郑红军,何宏家,&吴让元.(1997).GaAs晶片化学机械抛光的机理分析.固体电子学研究与进展,17(4),399. |
| MLA | 卜俊鹏,et al."GaAs晶片化学机械抛光的机理分析".固体电子学研究与进展 17.4(1997):399. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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