GaN材料的GSMBE生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓亮 ; 孙殿照 ; 李晓兵 ; 黄运衡 ; 朱世荣 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 孔梅影 ; 林兰英 |
| 刊名 | 高技术通讯
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 7期号:3页码:1 |
| 中文摘要 | 在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm~2/V·s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm(125meV)。 |
| 英文摘要 | 在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm~2/V·s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm(125meV)。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:39导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5777.pdf: 212951 bytes, checksum: 66316619cdba17515365426fe0b7c976 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家863计划; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19377]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,孙殿照,李晓兵,等. GaN材料的GSMBE生长[J]. 高技术通讯,1997,7(3):1. |
| APA | 王晓亮.,孙殿照.,李晓兵.,黄运衡.,朱世荣.,...&林兰英.(1997).GaN材料的GSMBE生长.高技术通讯,7(3),1. |
| MLA | 王晓亮,et al."GaN材料的GSMBE生长".高技术通讯 7.3(1997):1. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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