GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关
文献类型：期刊论文
| 作者 | 康学军 ; 林世鸣 ; 廖奇为 ; 高俊华 ; 王红杰 ; 朱家廉 ; 张春晖 ; 王启明 |
| 刊名 | 高技术通讯
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 7期号:7页码:36 |
| 中文摘要 | 报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AlAs层氧化为A_xO_y层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。 |
| 英文摘要 | 报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AlAs层氧化为A_xO_y层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:40导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5779.pdf: 338950 bytes, checksum: 28e8b93e1c4e80434cfbb51543ed7f9b (MD5) Previous issue date: 1997; 国家863计划; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19381]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 康学军,林世鸣,廖奇为,等. GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关[J]. 高技术通讯,1997,7(7):36. |
| APA | 康学军.,林世鸣.,廖奇为.,高俊华.,王红杰.,...&王启明.(1997).GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关.高技术通讯,7(7),36. |
| MLA | 康学军,et al."GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关".高技术通讯 7.7(1997):36. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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