a-Si/SiO_2多量子阱材料制备及其晶化和发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 成步文
|
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:3页码:217 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19387]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成步文. a-Si/SiO_2多量子阱材料制备及其晶化和发光[J]. 发光学报,1997,18(3):217. |
| APA | 成步文.(1997).a-Si/SiO_2多量子阱材料制备及其晶化和发光.发光学报,18(3),217. |
| MLA | 成步文."a-Si/SiO_2多量子阱材料制备及其晶化和发光".发光学报 18.3(1997):217. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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