In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范缇文 ; 林兰英 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 16期号:3页码:307 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:43导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5788.pdf: 353299 bytes, checksum: 309561b383b8f28c6d6da918fa86df5f (MD5) Previous issue date: 1997; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19399]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范缇文,林兰英. In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究[J]. 电子显微学报,1997,16(3):307. |
| APA | 范缇文,&林兰英.(1997).In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究.电子显微学报,16(3),307. |
| MLA | 范缇文,et al."In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究".电子显微学报 16.3(1997):307. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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