表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王小军 ; 刘伟 ; 胡雄伟 ; 庄婉如 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:1页码:4 |
| 中文摘要 | 报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19411]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王小军,刘伟,胡雄伟,等. 表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变[J]. 半导体学报,1997,18(1):4. |
| APA | 王小军,刘伟,胡雄伟,庄婉如,&王启明.(1997).表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变.半导体学报,18(1),4. |
| MLA | 王小军,et al."表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变".半导体学报 18.1(1997):4. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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