多孔硅中的电子激发态及其光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 薛舫时 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:3页码:161 |
| 中文摘要 | 用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态.理论计算表明,随着电子能量的升高△波和г波之间产生了极强的相互耦合,形成一对强△态和强г态.这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中,从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态.在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元,得出了跃迁选择定则.强△态与г态间的跃迁几率很小,在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阱.运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰. |
| 英文摘要 | 用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态.理论计算表明,随着电子能量的升高△波和г波之间产生了极强的相互耦合,形成一对强△态和强г态.这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中,从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态.在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元,得出了跃迁选择定则.强△态与г态间的跃迁几率很小,在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阱.运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:46导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5798.pdf: 377777 bytes, checksum: 109013f75060807bd4a7939f02d64477 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19419]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛舫时. 多孔硅中的电子激发态及其光谱研究[J]. 半导体学报,1997,18(3):161. |
| APA | 薛舫时.(1997).多孔硅中的电子激发态及其光谱研究.半导体学报,18(3),161. |
| MLA | 薛舫时."多孔硅中的电子激发态及其光谱研究".半导体学报 18.3(1997):161. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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