Si（111）衬底上IBE法外延生长β-FeSi2薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李慧 ; 马辉 ; 丁维清 ; 秦复光 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:4页码:264 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:48导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5805.pdf: 133671 bytes, checksum: 69220f0fd7cf1695a1c376fe17b62f24 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金; 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19433]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李慧,马辉,丁维清,等. Si（111）衬底上IBE法外延生长β-FeSi2薄膜的研究[J]. 半导体学报,1997,18(4):264. |
| APA | 李慧,马辉,丁维清,&秦复光.(1997).Si（111）衬底上IBE法外延生长β-FeSi2薄膜的研究.半导体学报,18(4),264. |
| MLA | 李慧,et al."Si（111）衬底上IBE法外延生长β-FeSi2薄膜的研究".半导体学报 18.4(1997):264. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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