应变Si（1-x）Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹吕凡 ; 王占国 ; 孙殿照 ; 张靖巍 ; 李建平 ; 孔梅影 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:5页码:333 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:48导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5807.pdf: 236762 bytes, checksum: e47684f24fa38c03a50cc12de3b0e9cc (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19437]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹吕凡,王占国,孙殿照,等. 应变Si（1-x）Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究[J]. 半导体学报,1997,18(5):333. |
| APA | 邹吕凡.,王占国.,孙殿照.,张靖巍.,李建平.,...&林兰英.(1997).应变Si（1-x）Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究.半导体学报,18(5),333. |
| MLA | 邹吕凡,et al."应变Si（1-x）Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究".半导体学报 18.5(1997):333. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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