低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:5页码:321 |
| 中文摘要 | 利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84％。 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19439]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. 低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 半导体学报,1997,18(5):321. |
| APA | 陈良惠.(1997).低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.半导体学报,18(5),321. |
| MLA | 陈良惠."低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".半导体学报 18.5(1997):321. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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