高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘斌 ; 韩勤; 徐波
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:5页码:391 |
| 中文摘要 | 介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性。激光器的室温连续输出功率达到2W。在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平。器件的特征温度高达185K(35￣85℃)及163K(85￣95℃)。同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19447]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘斌,韩勤,徐波. 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性[J]. 半导体学报,1997,18(5):391. |
| APA | 刘斌,韩勤,&徐波.(1997).高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性.半导体学报,18(5),391. |
| MLA | 刘斌,et al."高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性".半导体学报 18.5(1997):391. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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