MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田 ; 马文全
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:7页码:508 |
| 中文摘要 | 采用了以解理面为衍射基面,直接测量水平弛豫的方法测量了In_xGa_(1-x)As(衬底为GaAs,X-0.1)外延层的应变及其弛豫状态。在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂。表明当InGaAs层厚度较厚(-2μm)时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态。其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数(△α/α-10~(-3))。并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变。在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x。 |
| 英文摘要 | 采用了以解理面为衍射基面,直接测量水平弛豫的方法测量了In_xGa_(1-x)As(衬底为GaAs,X-0.1)外延层的应变及其弛豫状态。在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂。表明当InGaAs层厚度较厚(-2μm)时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态。其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数(△α/α-10~(-3))。并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变。在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:50导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5814.pdf: 285851 bytes, checksum: c9c16af112fd9d223abdfe54cb0052a7 (MD5) Previous issue date: 1997; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19451]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田,马文全. MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法[J]. 半导体学报,1997,18(7):508. |
| APA | 王玉田,&马文全.(1997).MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法.半导体学报,18(7),508. |
| MLA | 王玉田,et al."MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法".半导体学报 18.7(1997):508. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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