硅双极晶体管的低温h_（FE）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 薄仕群 ; 林兆军 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:6页码:454 |
| 中文摘要 | 低温下h_(FE)主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M。影响γ的是禁带收缩和基区费米能级。M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应。以上观点与实验结果基本相符合。 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19461]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薄仕群,林兆军. 硅双极晶体管的低温h_（FE）[J]. 半导体学报,1997,18(6):454. |
| APA | 薄仕群,&林兆军.(1997).硅双极晶体管的低温h_（FE）.半导体学报,18(6),454. |
| MLA | 薄仕群,et al."硅双极晶体管的低温h_（FE）".半导体学报 18.6(1997):454. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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