MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 司俊杰 ; 杨沁清 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:8页码:561 |
| 中文摘要 | 根据MBE实际生长条件，采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW畸变。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19463]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 司俊杰,杨沁清,王启明. MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算[J]. 半导体学报,1997,18(8):561. |
| APA | 司俊杰,杨沁清,&王启明.(1997).MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算.半导体学报,18(8),561. |
| MLA | 司俊杰,et al."MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算".半导体学报 18.8(1997):561. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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