半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴巨 ; 何宏家 ; 范缇文 ; 王占国 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:7页码:558 |
| 中文摘要 | 在位错密度不同的LEC半绝缘(SI)GaAs衬底上离子注入制做MESFETs,观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响。结果表明，衬底中高位错密度可以拟制旁栅效应。 |
| 英文摘要 | 在位错密度不同的LEC半绝缘(SI)GaAs衬底上离子注入制做MESFETs,观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响。结果表明，衬底中高位错密度可以拟制旁栅效应。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5821.pdf: 148712 bytes, checksum: b9522e188984e51bc471837ba707d7e1 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19465]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴巨,何宏家,范缇文,等. 半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响[J]. 半导体学报,1997,18(7):558. |
| APA | 吴巨,何宏家,范缇文,&王占国.(1997).半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响.半导体学报,18(7),558. |
| MLA | 吴巨,et al."半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响".半导体学报 18.7(1997):558. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。