自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩培德
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:7页码:550 |
| 中文摘要 | 报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。 |
| 英文摘要 | 报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5823.pdf: 541688 bytes, checksum: 411ce51c3afd1134400d23cb7183a6bb (MD5) Previous issue date: 1997; 国家攀登计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所;中科院北京电子显微镜实验室 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19469]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩培德. 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究[J]. 半导体学报,1997,18(7):550. |
| APA | 韩培德.(1997).自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究.半导体学报,18(7),550. |
| MLA | 韩培德."自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究".半导体学报 18.7(1997):550. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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