用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 盛殊然 ; 孔光临 ; 廖显伯 ; 夏传钺 ; 郑怀德 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:7页码:513 |
| 中文摘要 | 提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现，光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的。除了校准测试系统的相移频率特性外，还需考虑样品本射电阻、电容等参数的影响，否则会使隙态密度偏低1-2个数量级，经严格校准的光电流相移测试，a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰，可能是双占据悬挂键D~-中心引起的。光照引起浅态减小，深态增加，引起了隙态重新分布。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19473]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盛殊然,孔光临,廖显伯,等. 用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布[J]. 半导体学报,1997,18(7):513. |
| APA | 盛殊然,孔光临,廖显伯,夏传钺,&郑怀德.(1997).用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布.半导体学报,18(7),513. |
| MLA | 盛殊然,et al."用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布".半导体学报 18.7(1997):513. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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