InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕振东 ; 徐仲英 ; 郑宝真 ; 许继宗 ; 王玉琦 ; 王建农 ; 葛惟锟 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:8页码:631 |
| 中文摘要 | 当激发光能量小于GaAs热垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV,发光具有二维特性。在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关。这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质。 |
| 英文摘要 | 当激发光能量小于GaAs热垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV,发光具有二维特性。在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关。这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:55导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5827.pdf: 297351 bytes, checksum: 6d7e87ffd68deca6f95edac6f53f7fff (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金,国家攀登计划; 中科院半导体所;香港科技大学物理系 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家攀登计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19477]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕振东,徐仲英,郑宝真,等. InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究[J]. 半导体学报,1997,18(8):631. |
| APA | 吕振东.,徐仲英.,郑宝真.,许继宗.,王玉琦.,...&葛惟锟.(1997).InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究.半导体学报,18(8),631. |
| MLA | 吕振东,et al."InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究".半导体学报 18.8(1997):631. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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