GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江德生
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:8页码:573 |
| 中文摘要 | 综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作，双色探测器工作在3～5μm及8～12μm大气窗口波段范围，是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件，研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等。首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能级之间的光跃迁问题及光电子输运问题。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 中科院院长基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19481]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江德生. GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究[J]. 半导体学报,1997,18(8):573. |
| APA | 江德生.(1997).GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究.半导体学报,18(8),573. |
| MLA | 江德生."GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究".半导体学报 18.8(1997):573. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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