压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓亮 ; 孙殿照 ; 孔梅影 ; 侯洵 ; 曾一平 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:9页码:660 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:56导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5831.pdf: 455658 bytes, checksum: 2d8d9d378b7fcffaf65ebb33de31e56f (MD5) Previous issue date: 1997; 国家863计划; 中科院半导体所;中科院西安光学精密机械所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19485]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,孙殿照,孔梅影,等. 压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究[J]. 半导体学报,1997,18(9):660. |
| APA | 王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,&曾一平.(1997).压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究.半导体学报,18(9),660. |
| MLA | 王晓亮,et al."压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究".半导体学报 18.9(1997):660. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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