不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王志明 ; 吕振东 ; 封松林 ; 赵谦 ; 李树英 ; 吉秀江 ; 陈宗圭 ; 徐仲英 ; 郑厚植 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:9页码:714 |
| 中文摘要 | 利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响。退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱。深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强。GaAs盖层越厚，量子点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著,并由此导致了发光峰半高宽的不同变化。 |
| 英文摘要 | 利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响。退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱。深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强。GaAs盖层越厚，量子点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著,并由此导致了发光峰半高宽的不同变化。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5834.pdf: 168965 bytes, checksum: c25e08dd99f2739b6ebb3f7e8f7577ce (MD5) Previous issue date: 1997; 国家攀登计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19491]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王志明,吕振东,封松林,等. 不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响[J]. 半导体学报,1997,18(9):714. |
| APA | 王志明.,吕振东.,封松林.,赵谦.,李树英.,...&郑厚植.(1997).不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响.半导体学报,18(9),714. |
| MLA | 王志明,et al."不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响".半导体学报 18.9(1997):714. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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