（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张广泽
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:11页码:832 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5835.pdf: 98097 bytes, checksum: 7b05cff068ca378e031f28250a4d901b (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19493]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张广泽. （113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究[J]. 半导体学报,1997,18(11):832. |
| APA | 张广泽.(1997).（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究.半导体学报,18(11),832. |
| MLA | 张广泽."（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究".半导体学报 18.11(1997):832. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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