Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 康学军 ; 林世鸣 ; 高俊华 ; 廖奇为 ; 朱家廉 ; 王红杰 ; 张春晖 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:10页码:791 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19495]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 康学军,林世鸣,高俊华,等. Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究[J]. 半导体学报,1997,18(10):791. |
| APA | 康学军.,林世鸣.,高俊华.,廖奇为.,朱家廉.,...&王启明.(1997).Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究.半导体学报,18(10),791. |
| MLA | 康学军,et al."Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究".半导体学报 18.10(1997):791. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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