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Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究

文献类型:期刊论文

作者康学军 ; 林世鸣 ; 高俊华 ; 廖奇为 ; 朱家廉 ; 王红杰 ; 张春晖 ; 王启明
刊名半导体学报
出版日期1997
卷号18期号:10页码:791
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19495]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
康学军,林世鸣,高俊华,等. Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究[J]. 半导体学报,1997,18(10):791.
APA 康学军.,林世鸣.,高俊华.,廖奇为.,朱家廉.,...&王启明.(1997).Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究.半导体学报,18(10),791.
MLA 康学军,et al."Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究".半导体学报 18.10(1997):791.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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