一种垂直喷淋式MOCVD反应器
文献类型：专利
| 作者 | 张永红 ; 杨辉; 王怀兵; 张宝顺
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| 发表日期 | 2012-06-06 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN 101824606B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器,包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口,用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内,其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域,各独立区域分别设有各自独立的进气口;喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴,喷淋头与转轴联动;复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。本发明技术方案的应用,将反应气源分隔并依次喷淋,能有效消除气相寄生反应,同时反应后的尾气能迅速从各衬底托的空隙流走,被排出反应器,能有效消除积聚未散的尾气对反应气体扰流作用,提高了外延片的生长质量,并为实现无限增大装片容量提供了可能。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 申请日期 | 2010-05-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010168746.5 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/815]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张永红,杨辉,王怀兵,等. 一种垂直喷淋式MOCVD反应器. CN 101824606B. 2012-06-06. |
入库方式： OAI收割
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