含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨辉 ; 董建荣
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| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2011-01-15 |
| 期号 | 2 |
| 关键词 | 纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结 太阳能电池 外量子效率 |
| 中文摘要 | 提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-09-11 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/746]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_SONY团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨辉,董建荣. 含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作[J]. 科学通报,2011(2). |
| APA | 杨辉,&董建荣.(2011).含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作.科学通报(2). |
| MLA | 杨辉,et al."含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作".科学通报 .2(2011). |
入库方式： OAI收割
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