In0.68Ga0.32As热光伏电池的制作和特性分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵勇明 ; 陆书龙; 季莲
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| 刊名 | 激光与光电子学进展
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| 出版日期 | 2012-09-10 |
| 期号 | 49 |
| 关键词 | 材料 热光伏电池 开路电压 InAsxP1-x缓冲层 外量子效率 |
| 中文摘要 | 用在InP衬底上失配生长的能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As制成了热光伏(TPV)电池。对其光伏特性的测试分析表明,通过对As组分渐变的InAsxP1-x缓冲层厚度的优化,可以将晶格失配引起的位错完全弛豫在缓冲层内,从而大幅改善热光伏电池的性能。在AM1.5G标准光谱下,与晶格失配没有被完全弛豫的热光伏电池相比,优化措施可将开路电压从0.19V提高到0.21V,外量子效率在长波处可达到85%,转换效率也提高了30%。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-16 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/920]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_SONY团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明,陆书龙,季莲. In0.68Ga0.32As热光伏电池的制作和特性分析[J]. 激光与光电子学进展,2012(49). |
| APA | 赵勇明,陆书龙,&季莲.(2012).In0.68Ga0.32As热光伏电池的制作和特性分析.激光与光电子学进展(49). |
| MLA | 赵勇明,et al."In0.68Ga0.32As热光伏电池的制作和特性分析".激光与光电子学进展 .49(2012). |
入库方式： OAI收割
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