刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 颜学进 ; 张权生 ; 石志文 ; 杜云 ; 祝亚芹 ; 罗丽萍 ; 朱家廉 ; 吴荣汉 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:11页码:836 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:59导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5839.pdf: 95454 bytes, checksum: fa8809ae0d2c5d6204dea638f0990648 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金,集成光电子学联合国家重点实验室基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,集成光电子学联合国家重点实验室基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19501]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜学进,张权生,石志文,等. 刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性[J]. 半导体学报,1997,18(11):836. |
| APA | 颜学进.,张权生.,石志文.,杜云.,祝亚芹.,...&王启明.(1997).刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性.半导体学报,18(11),836. |
| MLA | 颜学进,et al."刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性".半导体学报 18.11(1997):836. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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