高质量GaN材料的GSMBE生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓亮 ; 孙殿照 ; 孔梅影 ; 张剑平 ; 傅荣辉 ; 朱世荣 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:12页码:935 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家九五计划,中国博士后基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19505]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,孙殿照,孔梅影,等. 高质量GaN材料的GSMBE生长[J]. 半导体学报,1997,18(12):935. |
| APA | 王晓亮.,孙殿照.,孔梅影.,张剑平.,傅荣辉.,...&林兰英.(1997).高质量GaN材料的GSMBE生长.半导体学报,18(12),935. |
| MLA | 王晓亮,et al."高质量GaN材料的GSMBE生长".半导体学报 18.12(1997):935. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。