一种原位等离子体清洗和键合晶片的设备
文献类型：专利
| 作者 | 黄寓洋 ; 杨辉; 陆书龙:董建荣; 季莲
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| 发表日期 | 2012-09-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN 202434479 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 中文摘要 | 本实用新型涉及一种晶片清洗、键合技术，尤其是指一种能高效率完成清洗和键合操作的原位等离子体清洗和键合晶片的设备。这种设备包括真空键合装置（110），还包括等离子体清洗装置，所述等离子体清洗装置与真空键合装置（110）连通。本实用新型的有益效果在于：将等离子体清洗和晶片键合过程并入到同一腔室中实施，同时实现有效、高质量的晶片清洗、去氧化层和键合。使用该技术进行基片键合，可以解决现有基片键合的污染问题，能够实现高性能的键合性能。 |
| 公开日期 | 2012-09-26 |
| 申请日期 | 2012-01-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201220005989.1 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/845]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_SONY团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄寓洋,杨辉,陆书龙:董建荣,等. 一种原位等离子体清洗和键合晶片的设备. CN 202434479. 2012-09-12. |
入库方式： OAI收割
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