Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lei HB(雷红兵) ; Yang QQ(杨沁清) ; Wang QM(王启明) ; Zhou BZ(周必忠) |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:12页码:931 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:00导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:13:00z (gmt). no. of bitstreams: 1 5842.pdf: 175755 bytes, checksum: 11276ebf3c579488f0dbecd15606e597 (md5) previous issue date: 1997; 中科院半导体所;厦门大学物理系 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19507]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lei HB,Yang QQ,Wang QM,et al. Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon[J]. 半导体学报,1997,18(12):931. |
| APA | 雷红兵,杨沁清,王启明,&周必忠.(1997).Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon.半导体学报,18(12),931. |
| MLA | 雷红兵,et al."Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon".半导体学报 18.12(1997):931. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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