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Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon

文献类型:期刊论文

作者Lei HB(雷红兵) ; Yang QQ(杨沁清) ; Wang QM(王启明) ; Zhou BZ(周必忠)
刊名半导体学报
出版日期1997
卷号18期号:12页码:931
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:00导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:13:00z (gmt). no. of bitstreams: 1 5842.pdf: 175755 bytes, checksum: 11276ebf3c579488f0dbecd15606e597 (md5) previous issue date: 1997; 中科院半导体所;厦门大学物理系
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19507]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
Lei HB,Yang QQ,Wang QM,et al. Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon[J]. 半导体学报,1997,18(12):931.
APA 雷红兵,杨沁清,王启明,&周必忠.(1997).Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon.半导体学报,18(12),931.
MLA 雷红兵,et al."Crystal-Field Symmetry of Luminescence Center in Er-Implanted Silicon".半导体学报 18.12(1997):931.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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