四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 董建荣 ; 陆书龙; 杨辉; 黄伍桥
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| 发表日期 | 2012-01-25 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN 101859813 B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法,利用晶片键合的方法,将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成,充分利用Ge电池,既直接作为四结电池的底电池,又作为支撑衬底,实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池,更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换,从而可以获得超过45%的转换效率。本发明减少了机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失,同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出,降低高倍聚光电池中电阻消耗。 |
| 公开日期 | 2012-09-25 |
| 申请日期 | 2010-05-07 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010165596.2 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/813]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董建荣,陆书龙,杨辉,等. 四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法. CN 101859813 B. 2012-01-25. |
入库方式： OAI收割
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