基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 董建荣 ; 赵勇明; 杨辉; 陆书龙
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| 发表日期 | 2013-10-30 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 102184980A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP单结电池,该两个电池之间通过晶片键合的方式串联在一起。其制备方法为:采用MOCVD法等依次生长形成GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP单结电池,而后对GaInP/GaAs双结电池的键合面进行减薄、抛光和清洁处理后,与InGaAsP电池键合,其后分别制作上、下电极,形成目标产品。本发明可形成1.90eV、1.42eV、～1.00eV的带隙组合,降低材料的生长难度,实现对太阳光谱的充分利用,减小各个子电池间的电流失配和光电转换过程中的热能损失,同时提高了1.00eV电池内量子效率,进而提高电池效率。 |
| 公开日期 | 2014-01-20 |
| 申请日期 | 2011-04-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110082967.5 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1484]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董建荣,赵勇明,杨辉,等. 基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法. 102184980A. 2013-10-30. |
入库方式： OAI收割
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