基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺
文献类型：专利
| 作者 | 杨辉 ; 董建荣; 陆书龙; 赵春雨; 赵勇明; 季莲
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| 发表日期 | 2013-12-18 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 102184999A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池,所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为:以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体,其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线,制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低,输出电压高,光吸收及转换效率高,可作为高效激光光伏电池广泛应用,且其制备工艺简便,可有效节省器件加工时间和降低成本,满足规模化生产的需求。 |
| 公开日期 | 2014-01-20 |
| 申请日期 | 2011-04-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110083015.5 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1485]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨辉,董建荣,陆书龙,等. 基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺. 102184999A. 2013-12-18. |
入库方式： OAI收割
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