三结级联太阳能电池及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 于淑珍 ; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 赵勇明; 赵春雨; 杨辉
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| 发表日期 | 2016-09-07 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN103311353B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种三结级联太阳能电池包括GaAs或Ge的衬底，以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结级联太阳能电池的制备方法，步骤为在衬底上依次生长第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。 |
| 公开日期 | 2014-11-27 |
| 申请日期 | 2013-05-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201310207650.9 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1588]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于淑珍,董建荣,李奎龙,等. 三结级联太阳能电池及其制备方法. CN103311353B. 2016-09-07. |
入库方式： OAI收割
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