退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蒋春萍
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| 刊名 | 材料导报
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| 出版日期 | 2011-05-25 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | MgZnO薄膜 禁带宽度 (220)取向 退火温度 |
| 中文摘要 | 采用激光脉冲沉积法(PLD)在石英玻璃上成功制备了一系列MgZnO薄膜。并通过选用高Mg含量的靶材,成功将薄膜的吸收边调节至极紫外区域(200～280nm),经计算MgZnO薄膜的带隙高达5.46eV。进一步研究这种高Mg含量的MgZnO薄膜的结构特性,对薄膜进行了热退火处理,并首次观察到依赖于退火温度变化的(220)取向衍射峰的变化。 |
| 英文摘要 | A series of MgZnO thin films have been deposited on quartz substrate by pulsed laser deposition(PLD) method.The absorption edge was tuned to deep UV region(200～280nm) using the target with high Mg content.The band gap of MgZnO films can reach 5.46eV.Thermal annealing was performed to improve the structural characteristics of MgZnO films.For the first time the unique cubic(220) orientation crystallization process with the different annealing temperature was observed. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-09-17 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/771]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_蒋春萍团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋春萍. 退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究[J]. 材料导报,2011(10). |
| APA | 蒋春萍.(2011).退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究.材料导报(10). |
| MLA | 蒋春萍."退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究".材料导报 .10(2011). |
入库方式： OAI收割
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