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纳米硅薄膜中的量子点特征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘剑
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| 刊名 | 自然科学进展
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| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 6期号:6页码:700 |
| 中文摘要 | 从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6nm)具有量子点(Q.D)特征.在其 电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应.使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶.对实验结果做了初步分析讨论. |
| 英文摘要 | 从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6nm)具有量子点(Q.D)特征.在其 电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应.使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶.对实验结果做了初步分析讨论.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:03导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5858.pdf: 402944 bytes, checksum: 3e340ae50e9758b45de3e60db799d0c3 (MD5) Previous issue date: 1996; 国家自然科学基金,国家重点、开放实验室基金; 北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室;中科院半导体所;北京大学无线电电子系 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家重点、开放实验室基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19529]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘剑. 纳米硅薄膜中的量子点特征[J]. 自然科学进展,1996,6(6):700. |
| APA | 刘剑.(1996).纳米硅薄膜中的量子点特征.自然科学进展,6(6),700. |
| MLA | 刘剑."纳米硅薄膜中的量子点特征".自然科学进展 6.6(1996):700. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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