纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林鸿溢 ; 武旭辉 ; 何宇亮 ; 褚一鸣 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 45期号:4页码:655 |
| 中文摘要 | 在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜,利用高分辨率电子显微镜(HREM),Raman散射谱(RSS),扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型.其结果与实验符合得很好. |
| 英文摘要 | 在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜,利用高分辨率电子显微镜(HREM),Raman散射谱(RSS),扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型.其结果与实验符合得很好.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:12导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5866.pdf: 2036433 bytes, checksum: 00bbc69b8f94711da6146119db2f2d61 (MD5) Previous issue date: 1996; 国家自然科学基金; 北京理工大学电子工程系;北京航空航天大学物理系;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19545]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林鸿溢,武旭辉,何宇亮,等. 纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟[J]. 物理学报,1996,45(4):655. |
| APA | 林鸿溢,武旭辉,何宇亮,&褚一鸣.(1996).纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟.物理学报,45(4),655. |
| MLA | 林鸿溢,et al."纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟".物理学报 45.4(1996):655. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。