基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用
文献类型：专利
| 作者 | 程国胜 ; 刘立伟; 耿秀梅; 李伟伟
|
| 发表日期 | 2013-03-27 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 101859858A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用,该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜,并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器;迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上,代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极,能够实现低成本、高亮度的发光器件,扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。 |
| 公开日期 | 2014-01-20 |
| 申请日期 | 2010-05-07 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010165599.6 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1461]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_刘立伟团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程国胜,刘立伟,耿秀梅,等. 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用. 101859858A. 2013-03-27. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。