300 degrees C operation of normally-off AlGaN/GaN MOSFET with low leakage current and high on/off current ratio
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cai, Y (蔡勇)
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| 刊名 | ELECTRONICS LETTERS
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| 出版日期 | 2014 |
| 卷号 | 50期号:4页码:315-U161 |
| 关键词 | CIRCUITS HEMTS |
| 通讯作者 | Xu, Z (Xu, Zhe) |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000331405200046 |
| 公开日期 | 2015-02-03 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1775]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_张宝顺团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cai, Y . 300 degrees C operation of normally-off AlGaN/GaN MOSFET with low leakage current and high on/off current ratio[J]. ELECTRONICS LETTERS,2014,50(4):315-U161. |
| APA | Cai, Y .(2014).300 degrees C operation of normally-off AlGaN/GaN MOSFET with low leakage current and high on/off current ratio.ELECTRONICS LETTERS,50(4),315-U161. |
| MLA | Cai, Y ."300 degrees C operation of normally-off AlGaN/GaN MOSFET with low leakage current and high on/off current ratio".ELECTRONICS LETTERS 50.4(2014):315-U161. |
入库方式： OAI收割
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