应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹吕凡 ; 王占国 ; 范缇文 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:3页码:186 |
| 中文摘要 | 基于能量最小近似模型,研究了应变异质结外延材料中,产生Frank-Read源以释放失配应力所需GeSi合金缓冲层的厚度。对Ge_xSi_(1-x)/Si进行了具体计算,其结果表明:产生Frank-Read源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多,L_(min)=1300A是钉扎点间的最小距离。计算结果与LeGoues等的实验结果相符。就作者所知,计算产生Frank-Read源时GeSi合金缓冲层厚度的工作,以前未见报道。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19577]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹吕凡,王占国,范缇文. 应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究[J]. 半导体学报,1996,17(3):186. |
| APA | 邹吕凡,王占国,&范缇文.(1996).应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究.半导体学报,17(3),186. |
| MLA | 邹吕凡,et al."应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究".半导体学报 17.3(1996):186. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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